STGD6M65DF2

STGD6M65DF2

Fabrikant beschwéiert

STMicroelectronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

Spezifikatioune

  • Serie
    M
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    12 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    24 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2V @ 15V, 6A
  • Muecht - max
    88 W
  • Energie wiesselen
    36µJ (on), 200µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    21.2 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    15ns/90ns
  • Test Zoustand
    400V, 6A, 22Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    140 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Fournisseur Apparat Package
    DPAK

STGD6M65DF2 Ufro en Devis

Op Lager 18407
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.14000
Zilpräis:
Ganzen:1.14000

Informatiounsblat