STGW8M120DF3

STGW8M120DF3

Fabrikant beschwéiert

STMicroelectronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

Spezifikatioune

  • Serie
    M
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    1200 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    16 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    32 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2.3V @ 15V, 8A
  • Muecht - max
    167 W
  • Energie wiesselen
    390µJ (on), 370µJ (Off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    32 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    20ns/126ns
  • Test Zoustand
    600V, 8A, 33Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    103 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247-3

STGW8M120DF3 Ufro en Devis

Op Lager 9400
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
3.53000
Zilpräis:
Ganzen:3.53000

Informatiounsblat