STGWA75H65DFB2

STGWA75H65DFB2

Fabrikant beschwéiert

STMicroelectronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7

Spezifikatioune

  • Serie
    HB2
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    115 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    225 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2V @ 15V, 75A
  • Muecht - max
    357 W
  • Energie wiesselen
    1.428mJ (on), 1.05mJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    207 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    28ns/100ns
  • Test Zoustand
    400V, 75A, 2.2Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    88 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-247 Long Leads

STGWA75H65DFB2 Ufro en Devis

Op Lager 7437
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
4.63000
Zilpräis:
Ganzen:4.63000