STGWT60H65DFB

STGWT60H65DFB

Fabrikant beschwéiert

STMicroelectronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    80 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    240 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    2V @ 15V, 60A
  • Muecht - max
    375 W
  • Energie wiesselen
    1.09mJ (on), 626µJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    306 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    51ns/160ns
  • Test Zoustand
    400V, 60A, 5Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    60 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-3P

STGWT60H65DFB Ufro en Devis

Op Lager 7658
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
4.42000
Zilpräis:
Ganzen:4.42000

Informatiounsblat