STGYA120M65DF2

STGYA120M65DF2

Fabrikant beschwéiert

STMicroelectronics

Produit Kategorie

transistors - igbts - Single

Beschreiwung

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

Spezifikatioune

  • Serie
    M
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • igbt Typ
    NPT, Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    650 V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    160 A
  • Stroum - Sammler gepulst (ICM)
    360 A
  • vce(an) (max) @ vge, ic
    1.95V @ 15V, 120A
  • Muecht - max
    625 W
  • Energie wiesselen
    1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
  • Input Typ
    Standard
  • Gate charge
    420 nC
  • td (an/aus) @ 25°c
    66ns/185ns
  • Test Zoustand
    400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    202 ns
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Package / Fall
    TO-247-3 Exposed Pad
  • Fournisseur Apparat Package
    MAX247™

STGYA120M65DF2 Ufro en Devis

Op Lager 5176
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
11.69000
Zilpräis:
Ganzen:11.69000

Informatiounsblat