STP12NM50

STP12NM50

Fabrikant beschwéiert

STMicroelectronics

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB

Spezifikatioune

  • Serie
    MDmesh™
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    500 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    12A (Tc)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    350mOhm @ 6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    5V @ 50µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    39 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±30V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    1000 pF @ 25 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    160W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-220AB
  • Package / Fall
    TO-220-3

STP12NM50 Ufro en Devis

Op Lager 10276
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
3.22000
Zilpräis:
Ganzen:3.22000

Informatiounsblat