RS1JL M2G

RS1JL M2G

Fabrikant beschwéiert

TSC (Taiwan Semiconductor)

Produit Kategorie

diodes - rectifiers - eenzel

Beschreiwung

DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Deel Status
    Active
  • diode Typ
    Standard
  • Spannung - DC ëmgedréint (vr) (max)
    600 V
  • aktuell - Moyenne rectified (io)
    800mA
  • Spannung - Forward (vf) (max) @ wann
    1.3 V @ 800 mA
  • Vitesse
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    250 ns
  • aktuell - ëmgedréint Leckage @ vr
    5 µA @ 600 V
  • Kapazitéit @ vr, f
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    DO-219AB
  • Fournisseur Apparat Package
    Sub SMA
  • Betribssystemer Temperatur - Kräizung
    -55°C ~ 150°C

RS1JL M2G Ufro en Devis

Op Lager 182966
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.05491
Zilpräis:
Ganzen:0.05491

Informatiounsblat