HN3C10FUTE85LF

HN3C10FUTE85LF

Fabrikant beschwéiert

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Produit Kategorie

transistoren - bipolar (bjt) - rf

Beschreiwung

RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • Transistor Typ
    2 NPN (Dual)
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    12V
  • Frequenz - Iwwergank
    7GHz
  • Geräischer Figur (db Typ @ f)
    1.1dB @ 1GHz
  • gewannen
    11.5dB
  • Muecht - max
    200mW
  • DC Stroumgewënn (hfe) (min) @ ic, vce
    80 @ 20mA, 10V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    80mA
  • Betribssystemer Temperatur
    -
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Fournisseur Apparat Package
    US6

HN3C10FUTE85LF Ufro en Devis

Op Lager 37964
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.54000
Zilpräis:
Ganzen:0.54000