MT3S111TU,LF

MT3S111TU,LF

Fabrikant beschwéiert

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Produit Kategorie

transistoren - bipolar (bjt) - rf

Beschreiwung

RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • Transistor Typ
    NPN
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    6V
  • Frequenz - Iwwergank
    10GHz
  • Geräischer Figur (db Typ @ f)
    0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
  • gewannen
    12.5dB
  • Muecht - max
    800mW
  • DC Stroumgewënn (hfe) (min) @ ic, vce
    200 @ 30mA, 5V
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    100mA
  • Betribssystemer Temperatur
    150°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    3-SMD, Flat Lead
  • Fournisseur Apparat Package
    UFM

MT3S111TU,LF Ufro en Devis

Op Lager 35282
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.58000
Zilpräis:
Ganzen:0.58000