RN1711JE(TE85L,F)

RN1711JE(TE85L,F)

Fabrikant beschwéiert

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Produit Kategorie

transistors - bipolar (bjt) - Arrays, Pre-biased

Beschreiwung

TRANSISTOR NPN X2 BRT Q1BSR10KOH

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • Transistor Typ
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • aktuell - Sammler (ic) (max)
    100mA
  • Spannung - Kollektor Emitter Decompte (max)
    50V
  • Resistor - Base (r1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (r2)
    -
  • DC Stroumgewënn (hfe) (min) @ ic, vce
    120 @ 1mA, 5V
  • vce saturation (max) @ ib, ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Stroum - Kollektorschnëtt (max)
    100nA (ICBO)
  • Frequenz - Iwwergank
    250MHz
  • Muecht - max
    100mW
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    SOT-553
  • Fournisseur Apparat Package
    ESV

RN1711JE(TE85L,F) Ufro en Devis

Op Lager 132016
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.07632
Zilpräis:
Ganzen:0.07632