Spezifikatioune

• Serie
  DTMOSIV-H
• Package
  Tube
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  N-Channel
• Technologie
  MOSFET (Metal Oxide)
• drain to source voltage (vdss)
  600 V
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  30.8A (Ta)
• Fuertspannung (max rds on, min rds on)
  10V
• rds op (max) @ id, vgs
  88mOhm @ 9.4A, 10V
• vgs(th) (max) @ id
  3.5V @ 1.5mA
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  65 nC @ 10 V
• vgs (max)
  ±30V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  3000 pF @ 300 V
• fet Fonktioun
  Super Junction
• Energieverbrauch (max)
  230W (Tc)
• Betribssystemer Temperatur
  150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Through Hole
• Fournisseur Apparat Package
  TO-247
• Package / Fall
  TO-247-3