TK650A60F,S4X

TK650A60F,S4X

Fabrikant beschwéiert

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS

Spezifikatioune

  • Serie
    U-MOSIX
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    600 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    11A (Ta)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    650mOhm @ 5.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4V @ 1.16mA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    34 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±30V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    1320 pF @ 300 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    45W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    150°C
  • Montéierung Typ
    Through Hole
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-220SIS
  • Package / Fall
    TO-220-3 Full Pack

TK650A60F,S4X Ufro en Devis

Op Lager 15064
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
1.41000
Zilpräis:
Ganzen:1.41000

Informatiounsblat