XPN3R804NC,L1XHQ

XPN3R804NC,L1XHQ

Fabrikant beschwéiert

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 40V 40A 8TSON

Spezifikatioune

  • Serie
    U-MOSVIII
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    40 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    40A (Ta)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    4.5V, 10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    3.8mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    2.5V @ 300µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    35 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    2230 pF @ 10 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    840mW (Ta), 100W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    175°C
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Fournisseur Apparat Package
    8-TSON Advance (3.3x3.6)
  • Package / Fall
    8-PowerVDFN

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