NSB8JT-E3/45

NSB8JT-E3/45

Fabrikant beschwéiert

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Produit Kategorie

diodes - rectifiers - eenzel

Beschreiwung

DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB

Spezifikatioune

  • Serie
    -
  • Package
    Tube
  • Deel Status
    Active
  • diode Typ
    Standard
  • Spannung - DC ëmgedréint (vr) (max)
    600 V
  • aktuell - Moyenne rectified (io)
    8A
  • Spannung - Forward (vf) (max) @ wann
    1.1 V @ 8 A
  • Vitesse
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • ëmgedréint Erhuelung Zäit (trr)
    -
  • aktuell - ëmgedréint Leckage @ vr
    10 µA @ 600 V
  • Kapazitéit @ vr, f
    55pF @ 4V, 1MHz
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Package / Fall
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-263AB
  • Betribssystemer Temperatur - Kräizung
    -55°C ~ 150°C

NSB8JT-E3/45 Ufro en Devis

Op Lager 39922
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
0.51202
Zilpräis:
Ganzen:0.51202

Informatiounsblat