SUM90N10-8M2P-E3

SUM90N10-8M2P-E3

Fabrikant beschwéiert

Vishay / Siliconix

Produit Kategorie

transistors - fets, mosfets - eenzel

Beschreiwung

MOSFET N-CH 100V 90A TO263

Spezifikatioune

  • Serie
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • Deel Status
    Active
  • fet Typ
    N-Channel
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source voltage (vdss)
    100 V
  • aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
    90A (Tc)
  • Fuertspannung (max rds on, min rds on)
    10V
  • rds op (max) @ id, vgs
    8.2mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id
    4.5V @ 250µA
  • Gate charge (qg) (max) @ vgs
    150 nC @ 10 V
  • vgs (max)
    ±20V
  • Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
    6290 pF @ 50 V
  • fet Fonktioun
    -
  • Energieverbrauch (max)
    3.75W (Ta), 300W (Tc)
  • Betribssystemer Temperatur
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montéierung Typ
    Surface Mount
  • Fournisseur Apparat Package
    TO-263 (D2Pak)
  • Package / Fall
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SUM90N10-8M2P-E3 Ufro en Devis

Op Lager 8298
Quantitéit:
Eenheetspräis (Referenzpräis):
4.03000
Zilpräis:
Ganzen:4.03000

Informatiounsblat