Spezifikatioune

• Serie
  Z-FET™
• Package
  Bulk
• Deel Status
  Active
• fet Typ
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet Fonktioun
  Silicon Carbide (SiC)
• drain to source voltage (vdss)
  1200V (1.2kV)
• aktuell - kontinuéierlech drain (id) @ 25 ° c
  423A (Tc)
• rds op (max) @ id, vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (max) @ id
  2.3V @ 15mA (Typ)
• Gate charge (qg) (max) @ vgs
  1025nC @ 20V
• Input Kapazitéit (ciss) (max) @ vds
  11700pF @ 600V
• Muecht - max
  1660W
• Betribssystemer Temperatur
  150°C (TJ)
• Montéierung Typ
  Chassis Mount
• Package / Fall
  Module, Screw Terminals
• Fournisseur Apparat Package
  Module